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PMCM6501VPEZ

功能描述：MOSFET P-CH 12V 6WLCSP

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：29.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 6V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：556mW（Ta）, 12.5W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 3A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-WLCSP（1.48x.98）

封装/外壳：6-XFBGA，WLCSP

标准包装：1

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